Renesas revoluciona la tecnología MOSFET con el proceso REXFET-1

Renesas Electronics ha anunciado el lanzamiento de nuevos MOSFETs de canal N de alta potencia diseñados para trabajar con un voltaje de hasta 100 V, ofreciendo un rendimiento de conmutación de alta corriente que establece un nuevo estándar en la industria.

La clave de este avance es el innovador proceso de fabricación REXFET-1, desarrollado por Renesas, que introduce mejoras significativas en la eficiencia y el rendimiento. Este proceso permite reducir la resistencia de conexión en un 30%, lo que se traduce en una menor pérdida de energía y mayor confiabilidad para aplicaciones de alta potencia. Además, el REXFET-1 optimiza las características eléctricas al disminuir en un 10% la carga total de puerta (Qg) y en un impresionante 40% la carga de la puerta durante la fase de “meseta de Miller” (Qgd). Estas mejoras garantizan una conmutación más rápida y eficiente.

Los nuevos MOSFETs están disponibles en los encapsulados estándar TOLL y TOLG, que son compatibles con dispositivos de otros fabricantes. Estos encapsulados son un 50% más pequeños que los tradicionales TO-263, lo que permite diseños más compactos y ligeros. Además, el encapsulado TOLL incluye flancos humectables que facilitan la inspección óptica durante el montaje, mejorando la calidad y reduciendo los tiempos de producción.

Renesas ha diseñado estos dispositivos para satisfacer la creciente demanda de soluciones avanzadas en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, sistemas de almacenamiento de energía y conversión de energía industrial. Gracias a su alto rendimiento y diseño eficiente, estos MOSFETs son ideales para cumplir con los estrictos requisitos de estas aplicaciones.

Para más información técnica y detalles sobre el encapsulado TOLL, puedes consultar el documento oficial de Renesas sobre la evaluación del paquete TOLL en este enlace