Nuevo MOSFET de 650V de Vishay: Eficiencia y Potencia en un Diseño Compacto
En el dinámico mundo de la ingeniería electrónica, la búsqueda de componentes que ofrezcan alta eficiencia y densidad de potencia es constante. Vishay Intertechnology ha respondido a esta demanda con su nuevo MOSFET de canal N SiHK050N65E, un dispositivo de 650V que promete revolucionar aplicaciones en telecomunicaciones, industria y computación.
Figura: Mosfet Vishay | Fuente: powerelectronicsnews.com
Características Destacadas del SiHK050N65E
Este MOSFET se distingue por varios atributos clave:
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Baja Resistencia de Encendido (RDS(on)): Con un valor típico de 48mΩ a 25°C y 10V de voltaje de compuerta a fuente (VGS), el SiHK050N65E reduce significativamente las pérdidas de conducción, mejorando la eficiencia energética del sistema.
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Carga de Puerta Reducida (Qg): Presenta una carga de puerta típica de 78nC bajo condiciones de 16A, 520V y 10V de VGS, lo que facilita una conmutación más rápida y disminuye las pérdidas asociadas.
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Capacitancias de Salida Efectivas: Para aplicaciones de conmutación dura, las capacitancias de salida efectivas típicas Co(er) y Co(tr) son 167pF y 1.119nF respectivamente, optimizando el rendimiento en configuraciones como la corrección del factor de potencia (PFC) y convertidores de dos conmutaciones hacia adelante.
Encapsulado TOLL: Innovación en Diseño
El SiHK050N65E utiliza el encapsulado TOLL (TO-Leadless) de montaje superficial, con dimensiones de 10 x 12 mm. Este diseño ofrece varias ventajas:
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Alta Capacidad de Corriente: El encapsulado TOLL está diseñado para manejar corrientes de hasta 300A, permitiendo una mayor densidad de potencia y reduciendo la necesidad de componentes en paralelo.
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Reducción del Espacio en PCB: Comparado con el D²PAK de 7 pines, el TOLL reduce el espacio ocupado en la placa en un 30% y su altura es un 50% menor, favoreciendo diseños más compactos y eficientes.
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Conexión Kelvin Integrada: Incluye una conexión Kelvin para mejorar el accionamiento de la puerta, minimizando los efectos de la inductancia parásita y optimizando el rendimiento en aplicaciones de conmutación rápida.
Aplicaciones Versátiles
El SiHK050N65E está diseñado para una amplia gama de aplicaciones, incluyendo:
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Fuentes de Alimentación para Servidores: Cumple con los estándares del Open Compute Project (ORV3) y puede alcanzar una eficiencia pico del 96%, alineándose con los requisitos de eficiencia Titanium en fuentes de alimentación para servidores.
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Computación de Borde y Centros de Datos: Su alta eficiencia y diseño compacto lo hacen ideal para infraestructuras que requieren procesamiento cercano al usuario final y en entornos de alta densidad de servidores.
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Energías Renovables: Apto para inversores solares, contribuyendo a la conversión eficiente de energía en sistemas fotovoltaicos.
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Automoción e Industria: Aplicable en equipos de soldadura y accionamientos de motores, donde la eficiencia y la capacidad de manejar altas corrientes son esenciales.
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